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Heterojunction between Al2O3 and SnO2 thin films for application in transparent FET

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Detalhes bibliográficos
Resumo:Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
Autores principais:Boratto, Miguel Henrique
Outros Autores:Andrade Scalvi, Luis Vicente de; Barbosa Maciel, Jorge Luiz; Saeki, Margarida Juri; Floriano, Emerson Aparecido
Assunto:Aluminum oxide Heterojunction Tin dioxide FET
Ano:2015
País:Brasil
Tipo de documento:artigo
Tipo de acesso:acesso aberto
Instituição associada:IBICT
Idioma:inglês
Origem:Oasisbr
Descrição
Resumo:Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Atividades financiadas

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