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Cálculo modelo da superfície GaN(111): relaxações e defeitos nativos
| Summary: | O sucesso da GaN cristalino como um material de aplicações eletrônicas e ópticas tem motivado enormes esforços teóricos e experimentais nos últimos anos, a fim de que sejam entendidas suas propriedades. Neste trabalho, apresentamos uma teoria quantitativa, embora modelar, da superficies GaN (111) relaxada, segundo vários modelos e contendo defeitos nativos com vacâncias (V e Vn) e defeitos de antisitios (Nga e Gan) contidos na sua camada superior. Nossa abordagem é baseada em cálculos modelo ab initio de energia total de aglomerados moleculares planares de tamanhos variando de 1x1 a 6x6 anéis de Ga3N3. Acompanhados a convergência dos estados eletrônicos de superfície, das cargas atômicas de densidades de estados, como uma função do tamanho do aglomerado molecular. |
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| Main Authors: | Cláudio de Oliveira |
| Subject: | Física GaN GaN(111) Semicondutores |
| Year: | 2019 |
| Country: | Brazil |
| Document type: | master thesis |
| Access type: | open access |
| Associated institution: | IBICT |
| Language: | Portuguese |
| Origin: | Oasisbr |
| Summary: | O sucesso da GaN cristalino como um material de aplicações eletrônicas e ópticas tem motivado enormes esforços teóricos e experimentais nos últimos anos, a fim de que sejam entendidas suas propriedades. Neste trabalho, apresentamos uma teoria quantitativa, embora modelar, da superficies GaN (111) relaxada, segundo vários modelos e contendo defeitos nativos com vacâncias (V e Vn) e defeitos de antisitios (Nga e Gan) contidos na sua camada superior. Nossa abordagem é baseada em cálculos modelo ab initio de energia total de aglomerados moleculares planares de tamanhos variando de 1x1 a 6x6 anéis de Ga3N3. Acompanhados a convergência dos estados eletrônicos de superfície, das cargas atômicas de densidades de estados, como uma função do tamanho do aglomerado molecular. |
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