O tempo de vida efetivo dos portadores de carga minoritários é um parâmetro crucial para a caracterização de materiais empregues na indústria fotovoltaica. A medição deste parâmetro numa fase inicial do fabrico de células solares, permite a remoção das wafers com imperfeições, garantindo a qualidade do produto final. A presente investigação teve como objetivo o estudo de técnicas de otimização de wafers de silício que, posteriormente, seriam utilizadas em células fotovoltaicas. Essa otimização é alcançada pela melhoria dos valores de tempo de vida medidos na superfície das wafers. Os instrumentos de medição utilizados foram o WCT-120 da Sinton Instruments e o WT-1000 da Semilab Semiconductors. Estes fornecem valores de tempo de vida baseados na técnica de decaimento fotocondutivo. No entanto, nesta técnica as medições são influenciadas pelos focos de recombinação nas wafers, culminando em medidas aparentes à superfície que não refletem o tempo de vida em volume. Para colmatar esta situação, utilizam-se métodos de passivação da superfície que, se realizados de forma eficaz, permitem reduzir o efeito de recombinação nesta, aproximando o tempo de vida medido à superfície do tempo de vida em volume. Nesta investigação foi possível obter-se esse efeito de passivação para os processos de oxidação química e evaporações, o que permitiu a melhoria da qualidade das wafers, contrariamente ao verificado no processo de oxidação térmica que culminou numa redução da mesma.